JEDEC标准编号:JESD214.01
标准名称:常温老化方法以表征铜互连金属化对应力诱导空洞的特性
适用范围:
本标准描述了一种在微电子晶圆上测试铜(Cu)互连金属化结构对应力诱导空洞(SIV)敏感性的常温老化方法。该方法主要用于技术开发阶段的晶圆级生产,结果用于预测寿命和失效分析。在某些条件下,此方法也可应用于封装级别的测试。然而,由于测试时间较长,不适用于检查待发货的产品批次。
本标准假设应力诱导空洞(SIV)的增长及其电阻变化可使用Ogawa等人、Yao等人及Fischer等人的模型进行模拟,以获得中位寿命、有效激活能和加速因子。
铜互连中的应力诱导空洞:
应力迁移或应力诱导空洞(SIV)是Cu互连技术可靠性鉴定的关键方面之一。在固定单个通孔尺寸的情况下,较宽的线结构相对于较窄的线结构具有更高的固有SIV风险[1-4, 7-11]。工业标准中已通过定性处理应力迁移数据来定义合格或不合格的标准。一般行业都接受“零失效”的护带作为应力迁移(SM)资格认证的标准[8]。然而,随着技术的进一步发展,Cu SIV可靠性余量变窄,旧的传统标准可能导致更宽的可靠预测误差区间。
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